トランジスタタイプ = PNP
最大DCコレクタ電流 = 4 A
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
パッケージタイプ = UPAK
実装タイプ = 表面実装
最大パワー消費 = 2.5 W
最小DC電流ゲイン = 80
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
最大動作周波数 = 125 MHz
ピン数 = 4
1チップ当たりのエレメント数 = 1
長さ = 4.6mm
低飽和電圧 PNP トランジスタ. NXP BISS (Breakthrough In Small Signal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。 このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。 このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。